2025.05.26 321層1Tb TLC方式4D NAND型フラッシュをベース　韓国SKハイニックスがモバイル用メモリーソリューション開発

321層1テラビット TLC 4D NAND型フラッシュをベースにしたモバイル用メモリーソリューション「UFS 4.1」

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