炭化ケイ素（SiC）ベースのパワー半導体などを手がける米ウルフスピードは9日、 ノースカロライナ（NC）州チャタム郡に 世界最大級のSiC生産施設を新設すると発表した。第1期は2024年完工。投資額は約13億ドル（約1860億円）を見込んでいる。

　SiCは高性能・高効率パワーデバイスを実現する次世代素材として、EV（電気自動車）用途などを中心に需要が急増している。業界をリードするウフルスピードは現在、NC州ダーラムキャンパスにSiC製造施設を有するが、新工場建設でSiC生産能力を10倍以上に拡大、旺盛な需要に対応していく。

　チャタム新工場では主に直径200ミリ（8インチ）SiCウエハーを生産。年初にニューヨーク州モホークバレーに新設した同社のSiCチップ工場に供給する。

（13日付電波新聞／電波デジタルで詳報します）