2022.09.26 SiCパワー半導体用エピウエハー、200ミリメートルサイズサンプル出荷 自社製SiC単結晶基板活用、昭和電工が国内初
昭和電工は、国内メーカーとしては初となる、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体用の200ミリメートル（8インチ）サイズSiCエピタキシャルウエハーのサンプル出荷を開始した。同エピウエハーには、自社製のSiC単結晶基板を活用している。
SiCパワー半導体は、従来のシリコンウエハーを用いたパワー半導体に比べ、電力損失や熱の発生が少なく、省エネルギーに貢献するデバイスとして、電気自動車（EV）や再生可能エネルギー向けに市場が急拡大し... (つづく)
