2023.01.05 【2023年注目の先端技術特集】優れた保持性、耐久性、ゲート長スケーリングを実現したコンデンサーレスIGZOベースDRAMセルデバイスアーキテクチャーの改善とIGZOトランジスタの信頼性に関する新たな視点
【図1】（a）酸素トンネルを持つゲートラスト構造で、ゲート長14nmの単一IGZOトランジスタの模式図と（b）TEM像（2021 IEDMで発表されたもの）
高密度3D DRAMの実現に向けて
昨年の国際電子デバイス会議（2020 IEDM）にて、imecは初めて、従来のDRAMの改良手法として、インジウム・ガリウム・ジンク・オキサイド（IGZO）薄膜トランジスタ（TFT）の双方を実装し、ストレージコンデンサーを使用しない新しいセルアーキテクチャーとなる2T0C（2トランジスタ／0コンデンサー）を発表。
この新しい2トランジスタ／0コン... (つづく)
