2024.03.22 東芝D＆Sが産機用SiC MOSFETモジュールのラインアップを拡充　1700V耐圧で低導通損失を実現

産機の高効率化・小型化に貢献する1700Ｖ耐圧SiC MOSFET

　東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、産業用機器向けに第3世代のシリコンカーバイド（SiC）MOSFETチップを搭載した1700V耐圧、ドレイン電流定格250AのSiC MOSFETモジュール「MG250V2YMS3」を製品化し、ラインアップを拡充した。

　新製品は、ドレイン・ソース間オン電圧（センス端子）を0.8V（typ.）に低減し、低導通損失を実現。また、ターンオンスイッチング損失を18mJ（typ.）、ターンオフス...　　(つづく)