2024.06.20 旭化成、4インチ窒化アルミ単結晶基板のサンプル提供　下期から開始

過去に製造した使用可能面積90％のAlN基板（左）と今回製造に成功した同99.3％の基板

　旭化成は、米子会社Crystal IS（クリスタル・アイエス）が製造する4インチ（直径100ミリメートル）窒化アルミニウム（AlN）単結晶基板（AlN基板）の使用可能面積が99％を超えてきたことから、国内外の半導体デバイスメーカーへのサンプル基板の提供を2024年度下期から開始する。

　AlNは非常に広いバンドギャップエネルギーを持ち、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）よりも電力損失が小さく、耐圧が高いポテンシャルを...　　(つづく)