2025.06.05 東芝、AIで設計したパワー半導体　熱抵抗2割低減、長寿命実現　冷却システムサイズ6割低減も

新たに開発したモジュールの外観

　東芝は、絶縁基板に樹脂を用いた炭化ケイ素（SiC）パワー半導体モジュールを新たに開発した。セラミック絶縁型に比べ低コストで熱疲労に強く長寿命化でき、樹脂絶縁型の課題だった熱抵抗の高さも改善。既存のセラミック絶縁型に比べ熱抵抗を21％低減した。大きな冷却装置が不要で省スペース化を図れる。人工知能（AI）を生かした設計最適化技術の採用が奏功したとする。

　SiCパワー半導体モジュールはシリコン（Si）製に比べ高電圧、大電流に対応し...　　(つづく)