2026.10.02 ルネサス、次世代データセンター向けGaNパワー半導体、両面冷却対応

「TP65H020G4PLSGBD」イメージ（出所＝ルネサス）

　半導体大手のルネサス エレクトロニクスは、次世代人工知能（AI）データセンターで電力変換を行う窒化ガリウム（GaN）パワー半導体として、熱への対処を重視した「TP65H020G4PLSGBD」のサンプル提供を開始した。2027年半ばに量産開始予定。650V耐圧で、8×8mmのPQFNパッケージを採用。上下両面での冷却に対応する。主要なAIインフラ企業と共同で策定した仕様だ。

　サーバーを収めるラック1台あたりメガワット単位の電力を消...　　(つづく)