2020.08.21 SiCパワー半導体の低コスト化へ前進京大・木本教授らが独自のSiO₂/SiC形成法を発見
京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授、東京工業大学科学技術創成研究院の松下雄一郎特任准教授、小林拓真博士研究員らのグループは20日、SiC（シリコンカーバイド）パワー半導体において、Si（シリコン）だけ酸化させSiCは原子レベルで酸化させない独自のSiO2/SiC形成法を第一原理計算を用いて見つけだした。これにより、SiCパワー半導体の長年の課題だったSiCとSiO₂の界面欠陥をこれまでの10分の1に低減し、約10倍高性能な界面形成に成功したと... (つづく)
