2020.09.17 【ハイテクびと】ロームの三浦峰生課長 独自構造のSiC‐MOSFETを開発
電気エネルギー変換の鍵を握る半導体パワーデバイス。その性能向上のための新材料として最も有望とされているSiC（シリコンカーバイド、炭素ケイ素）の研究開発に長年取り組み、業界初の研究開発を連打。製品化でも業界をリードするロームのSiC開発キーマンのひとりがシステムソリューションエンジニアリング本部FAE1部ハイパワーFAE課課長の三浦峰生氏だ。開発したSiCパワーMOSFETのチャンネルの作り込み技術は、令和元年度近畿地方発明表彰の特許庁長官賞を受... (つづく)
