2020.12.18 日台の国際共同研究グループ2ナノメートル世代向け新構造トランジスタ

　2ナノメートル世代の電界効果トランジスタ（FET）とされるシリコン（Si）とゲルマニウム（Ge）の異種チャネル相補型電界効果トランジスタ（hCFET）が開発された。SiとGeのチャネル薄膜を上下に積層させる技術により、Si n型FETとGe　p型FETを最短距離で連結するhCFET構造を実現した。集積回路の3次元的な構造縮小化で大幅な集積化向上とさらなる高速化が期待できる。

　開発したのは、産業技術総合研究所（産総研）を代表と...　　(つづく)