2021.03.04 Japan Power DeviceがIGBT事業を立ち上げ9月にWS出荷、22年夏量産へ
須山 社長
パワー半導体のファブレスメーカー、Japan Power Device（大阪市中央区）が、IGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）事業を立ち上げる。
第1弾として、前工程、後工程の準備が容易な領域をターゲットに、年間100億円市場と言われ国内半導体メーカーとも競合しないIH調理器、電子レンジ、炊飯ジャー用の3端子パッケージ品1350-600VクラスのIGBTを製品化する。9月にワーキングサンプル（WS）の出荷を開始。2... (つづく)
