2021.06.28 SiC MOSFETの新構造東芝デバイス＆ストレージが開発
東芝デバイス＆ストレージは、シリコンカーバイド（SiC）MOSFETで、信頼性向上や電力損失低減を実現するデバイス構造を開発した。耐圧3.3kVの素子では、175度の環境で導通可能な電流量が2倍以上に増え、室温での単位面積当たりオン抵抗は2～4割ほど低減できる。この構造を活用した製品のサンプル出荷を5月から始めた。
同社は昨年、新しいデバイス構造を開発して発表している。これは内部にショットキーバリアダイオード（SBD）を搭載... (つづく)
