2021.08.04 初の200ミリSiCウエハー製造ST、主導的地位を強固に
200ミリSiCウエハー
スイスのSTマイクロエレクトロニクスはこのほど、スウェーデン中東部、ノルショーピンの自社施設で次世代パワー半導体の試作開発用に初の200ミリSiC（炭化ケイ素）バルクウエハーを製造したと発表した。
同社は現在、最先端のSiC製品「STPOWER」の量産をイタリアとシンガポールの150ミリウエハーラインで行っている。200ミリSiCウエハーへの移行により、車載および産業分野における顧客プログラム向けの生産能力を強化。またパワー... (つづく)
