半導体の製造技術の進化は、構成しているトランジスタのゲートの長さで表現されている。米インテル社の共同創業者、ゴードン・ムーア氏が1965年に論文発表した「半導体の集積密度は1～2年で倍になる」という〝ムーアの法則〟と呼ばれる予言通りにトランジスタのサイズは微細化し続けてきている。

　今や、ナノメートル＝10億分の1メートル単位にまで達し、世界トップの半導体製造受託企業の台湾TSMCはインテルのライバルのAMD向けに7ナノ製造プ...　　(つづく)