2019.11.21 【新技術】フレキシブル基板上に形成したトンネル磁気抵抗素子が硬い半導体基板上に形成した素子の性能に匹敵　大阪大、東京大、村田製作所が共同で実証

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（図4）基板を引っ張っては元に戻す動作を繰り返した際の、素子抵抗と最大抵抗変化率

（図4）基板を引っ張っては元に戻す動作を繰り返した際の、素子抵抗と最大抵抗変化率

（図1）柔らかいプラスチック基板（フレキシブル基板）上に形成したトンネル磁気抵抗素子の写真（左下・右上）と概略図（中央）
（図2）（a）柔らかいプラスチック基板（フレキシブル基板）上に形成したトンネル磁気抵抗素子の抵抗の外部磁界依存性と、（b）最大の抵抗変化率のアニール温度依存性
（図3）柔らかいプラスチック基板（フレキシブル基板）上に形成したトンネル磁気抵抗素子の透過型電子顕微鏡像
（図4）基板を引っ張っては元に戻す動作を繰り返した際の、素子抵抗と最大抵抗変化率

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