2022.04.21 フロスフィアの次世代パワー半導体材料コランダム型酸化ガリウム 

年内に量産開始を予定するコランダム型酸化ガリウムを用いたSBD

絶縁破壊強度SiCの約4倍 放熱性の弱点も解決

 FLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区)は、次世代パワー半導体の新材料で注目を集めている。

 半導体は電気を運ぶ電子が存在しない領域「バンドギャップ」が大きいほど、一般に耐圧性(電圧に耐えられる強さ)は高くなる。

 同社が手掛けるのはサファイアの結晶構造を...  (つづく)