2022.04.21 フロスフィアの次世代パワー半導体材料コランダム型酸化ガリウム
年内に量産開始を予定するコランダム型酸化ガリウムを用いたSBD
絶縁破壊強度SiCの約4倍 放熱性の弱点も解決
FLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区)は、次世代パワー半導体の新材料で注目を集めている。
半導体は電気を運ぶ電子が存在しない領域「バンドギャップ」が大きいほど、一般に耐圧性(電圧に耐えられる強さ)は高くなる。
同社が手掛けるのはサファイアの結晶構造を... (つづく)
年内に量産開始を予定するコランダム型酸化ガリウムを用いたSBD
FLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区)は、次世代パワー半導体の新材料で注目を集めている。
半導体は電気を運ぶ電子が存在しない領域「バンドギャップ」が大きいほど、一般に耐圧性(電圧に耐えられる強さ)は高くなる。
同社が手掛けるのはサファイアの結晶構造を... (つづく)
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