2022.05.18 2.7A対応MOS-FETイサハヤ電子が開発
イサハヤ電子は、小型パッケージの大電流・低オン抵抗MOS-FET(電界効果トランジスタ)「INK0310CC1」を開発、サンプル受け付けを開始した。高速スイッチングやLED駆動など幅広く使える。
主な仕様はID:2.7A、VDSS:60V、Ron:92mΩ(標準)、4V駆動タイプでパッケージはSC-59。
... (つづく)イサハヤ電子は、小型パッケージの大電流・低オン抵抗MOS-FET(電界効果トランジスタ)「INK0310CC1」を開発、サンプル受け付けを開始した。高速スイッチングやLED駆動など幅広く使える。
主な仕様はID:2.7A、VDSS:60V、Ron:92mΩ(標準)、4V駆動タイプでパッケージはSC-59。
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