2022.05.18 2.7A対応MOS-FETイサハヤ電子が開発

　イサハヤ電子は、小型パッケージの大電流・低オン抵抗MOS-FET（電界効果トランジスタ）「INK0310CC1」を開発、サンプル受け付けを開始した。高速スイッチングやLED駆動など幅広く使える。

　主な仕様はID：2.7A、VDSS：60V、Ron：92mΩ（標準）、4V駆動タイプでパッケージはSC-59。

...　　(つづく)