2022.08.18 低オン抵抗のMOSFETイサハヤ電子が開発

　イサハヤ電子は小型パッケージの大電流・低オン抵抗MOSFET「INK0410AC1MOSFET」を開発、サンプル受け付けを開始した。

　新製品は高速スイッチングやLED駆動など幅広く使用できる。

　主な仕様はNch、ID：3.5A（大電流）、VDSS：60V、RDS（on）：45mΩtyp．：54mΩ（標準）、4V駆動タイプ、パッケージはSC-59。

...　　(つづく)