2022.08.18 低オン抵抗のMOSFETイサハヤ電子が開発
イサハヤ電子は小型パッケージの大電流・低オン抵抗MOSFET「INK0410AC1MOSFET」を開発、サンプル受け付けを開始した。
新製品は高速スイッチングやLED駆動など幅広く使用できる。
主な仕様はNch、ID:3.5A(大電流)、VDSS:60V、RDS(on):45mΩtyp.:54mΩ(標準)、4V駆動タイプ、パッケージはSC-59。
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イサハヤ電子は小型パッケージの大電流・低オン抵抗MOSFET「INK0410AC1MOSFET」を開発、サンプル受け付けを開始した。
新製品は高速スイッチングやLED駆動など幅広く使用できる。
主な仕様はNch、ID:3.5A(大電流)、VDSS:60V、RDS(on):45mΩtyp.:54mΩ(標準)、4V駆動タイプ、パッケージはSC-59。
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