2022.08.22 米オンセミ、ハドソンのSiC施設落成22年末までに生産能力5倍

落成式でテープカットを行う関係者

米半導体大手オンセミはこのほど、ニューハンプシャー州ハドソンにあるSiC（炭化ケイ素）施設が落成したと発表した。これにより同社のSiCブールの生産能力は22年末までに前年比5倍に、またハドソンの従業員数は約4倍に増える見通しだ。 SiCはシリコンと炭素で構成される化合物半導体材料。電気自動車（EV）やEV充電、エネルギー基盤の効率化を実現するために不可欠で、脱炭素化の切り札として注目を集める。市場規模は2021年の20億ドルから26年には65億ドルに年平...　　(つづく)