2022.08.23 韓国サムスンが器興にR＆D施設建設へ28年までに2兆円投入、半導体の競争力強化
着工式に出席した李副会長（左から2番目）と半導体各事業幹部
【ソウル支局】韓国サムスン電子は19日、ソウル市南方の器興（キフン）で新たな半導体研究開発（R＆D）施設の建設に着手したと発表した。2028年までに20兆ウォン（約2兆円）を投じる。次世代デバイスやメモリーおよびシステムLSI向けプロセス技術などを開発し、先端半導体技術で業界を主導していくとしている。
R＆D施設は京畿道龍仁市西部にある器興キャンパス内に建設される。敷地面積は約10万9000平方メートルとなる。
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