2022.09.21 反転型DI-MOSFET NCTが試作・基本動作確認 パワエレ高性能化に寄与

 ノベルクリスタルテクノロジー(NCT)は20日、しきい値電圧6Vを有する高耐圧1kVの酸化ガリウム(β-Ga₂O₃)反転型ダブルインプランティドMOSトランジスタ(DI-MOSFET)を試作し、基本動作を確認したと発表した。将来的にパワーエレクトロニクスの低価格化・高性能化につながる成果として注目される。

 DI-MOSFETはn型層とp型(高抵抗)層を形成する2種類の不純物を2回に分けて必要な領域にイオン注入して形成したMO...  (つづく)