2022.09.21 反転型DI-MOSFET NCTが試作・基本動作確認 パワエレ高性能化に寄与
ノベルクリスタルテクノロジー（NCT）は20日、しきい値電圧6Vを有する高耐圧1kVの酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）反転型ダブルインプランティドMOSトランジスタ（DI-MOSFET）を試作し、基本動作を確認したと発表した。将来的にパワーエレクトロニクスの低価格化・高性能化につながる成果として注目される。
DI-MOSFETはn型層とp型（高抵抗）層を形成する2種類の不純物を2回に分けて必要な領域にイオン注入して形成したMO... (つづく)
