2022.12.07 STマイクロと仏ソイテックがSiC基板製造技術で提携 200ミリウエハーに移行へ
ソイテックのサイトから
STマイクロエレクトロニクスは1日、仏ソイテック社と、シリコンカーバイド（SiC）基板製造技術で提携すると発表した。200ミリ基板にソイテックの技術を応用し、デバイスやモジュール製造事業に供給。中期的に大量生産を進める。車載などで期待されるSiC強化の一環となる形だ。
ソイテックには独自の「スマートカット」技術があり、高品質の「ドナー」ウエハーの薄層を分割し、それを低抵抗率のウエハーの上に接合することができる。この基板は、デ... (つづく)
