米マイクロンテクノロジーは22日、インドのグジャラート州に新しい半導体工場を建設する計画を発表した。

　DRAMとNANDの組み立てとテスト施設を設け、内外の需要に対応。2023年の建設開始、24年の操業開始を見込む。インド政府は半導体投資の誘致を進めており、それに呼応する形になる。公的支援を含めた総投資額は最大27億5000万ドル(約3850億円)となる見込み。

　計画は2段階。第1段階では約5万平方メートルのクリーンルームを含む施設を整備し、24年後半に稼働を開始。第2段階では第1段階と同規模の施設建設を含めたプロジェクトを、20年代後半に開始する。同社の投資額は最大8億2500万ドル(約1150億円)としている。

　同国政府からはプロジェクト費用の半額の財政支援があり、また同州からプロジェクト費用の2割相当の支援があるという。

　市場全体で予想されるメモリーやストレージに対する長期的な需要に応え、世界的な組み立てやテストのネットワークを補完する戦略の一環としている。製造のインフラやビジネス環境、工業団地の人材パイプラインなどから立地を決めた。

　インド政府は21年、半導体やディスプレー産業の長期戦略を遂行するため、この分野の専門家の下に「インド半導体ミッション(ISM)」を立ち上げ、持続可能なエコシステムの構築をめざしている。

　(26日の電波新聞／電波新聞デジタルで詳報予定です)