三菱電機は13日、オランダに拠点を置くネクスペリアと、パワーエレクトロニクス市場向けSiC(炭化ケイ素)パワー半導体の共同開発に向けた戦略的パートナーシップに合意したと発表した。三菱は、強みである化合物半導体技術などを適用しSiC-MOSFETチップをネクスペリア向けに開発・供給。ネクスペリアは、三菱のSiCチップを搭載したSiCディスクリート製品を開発する。

　製品の販売時期や売上高といった目標は開示していないが、なるべく早期の上市をめざす見込み。新規の設備投資は予定していないという。

　SiCパワー半導体は、低電力損失で、高温動作や高速スイッチング動作が可能。EV分野などで市場の急拡大が見込まれている。(14日の電波新聞/電波新聞デジタルで詳報予定です)