2024.04.16 インフィニオンがSiCの熱抵抗を12%改善 EVやAIサーバーの電力供給に

650V・1200V製品(提供=インフィニオン)

 ドイツのインフィニオン・テクノロジーズは12日、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体「CoolSiC MOSFET Generation 2(G2)」の産業用新製品を日本向けに発表した。従来製品「G1」に比べ電力損失を5~20%低減し、熱抵抗を12%改善した。

 電気自動車(EV)の充電や人工知能(AI)サーバーの電力供給用途を見込む。EV充電ステーションの場合、電力損失を最大10%低減できると試算する。

 同...  (つづく)