2024.04.16 インフィニオンがSiCの熱抵抗を12％改善 EVやAIサーバーの電力供給に
650V・1200V製品（提供＝インフィニオン）
ドイツのインフィニオン・テクノロジーズは12日、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体「CoolSiC MOSFET Generation 2（G2）」の産業用新製品を日本向けに発表した。従来製品「G1」に比べ電力損失を5～20％低減し、熱抵抗を12％改善した。
電気自動車（EV）の充電や人工知能（AI）サーバーの電力供給用途を見込む。EV充電ステーションの場合、電力損失を最大10％低減できると試算する。
同... (つづく)
