2025.01.15 ルネサスが新プロセス構造のMOSFETを量産　耐圧100V、オン抵抗30％低減

新構造を採用した100V耐圧MOSFET

　ルネサスエレクトロニクスは、100V耐圧のNチャンネルMOSFETの新製品として、TOLLパッケージ製品「RBA300N10EANS」とTOLGパッケージ製品「RBA300N10EHPF」を発売、量産を開始した。新たに開発したスプリットゲート構造の新プロセス（REXFET-1）により、既存プロセス（ANM2）の製品と比較して、オン抵抗を30％低減、ゲート総電荷量（Qg特性）を10％削減、ゲート・ドレイン間電荷量（Qgd特性）も40％削減しており、...　　(つづく)