2025.05.16 500度でも動くSiC集積回路　広島大とフェニテックセミコンが世界初・量産ファブで試作

SiC集積回路チップの設計レイアウトとチップを形成したSiCウエハー

　広島大学とフェニテックセミコンダクター（岡山県井原市）の合同チームは、世界で初めて放射線に強く、高温（500度）でも動くSiC集積回路試作を量産ファブで行った。

　SiC集積回路・デバイス設計は主に広島大学が担当し、製造プロセス検討を合同で行い、フェニテックセミコンダクターの6インチSiC量産ファブで生産した。このファブではSiCパワー半導体デバイスの生産を行っているが、パワー半導体デバイスはSiC集積回路と構造が大きく異なり...　　(つづく)