［図1］試作したグラフェントランジスタのドレイン電圧を上昇させながらテラヘルツ波パルスを照射し、その透過したパルス波の時間応答波形から、入射パルス波に対するグラフェントランジスタの吸収特性（周波数スペクトル）を求めた。ドレイン電圧がある閾値以上では、吸収率が負値となる増幅特性が得られた。右図は試作した素子の電子顕微鏡写真。櫛状の回折格子形状を有するゲート電極を2組用意し、入れ子状に配置した〝二重回折格子ゲート〟と呼ばれる独自のトランジスタ電極構造が特徴