2020.09.08 界面欠陥、従来の5分の1に京都大院がSiO₂／SiC界面形成に成功

　京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授、立木馨大博士後期課程学生らのグループは、SiC表面酸化後のSiC表面近傍の欠陥を水素エッチングで除去した後、SiO₂膜を堆積し、良質な酸化膜を形成。窒素（N₂）ガス処理でSiO₂の酸化膜とSiCとの界面窒化を行うことにより、界面欠陥密度（総量）2.5×10の10乗マイナス平方センチメートルと、一酸化窒素（NO）を用いる現行手法の約5分の1に界面欠陥を低減したSiO₂／SiC界面形成に成功した。また、今回の作...　　(つづく)