2020.10.06 米ラムリサーチ、原子層成膜装置を発表3D NANDなど複雑な製造課題に対応
「Striker FE」
米半導体製造装置大手のラムリサーチはこのほど、次世代3D NANDなどの複雑な製造課題に対応するALD（原子層成膜）装置「Striker FE」を発表した。
高アスペクト比のチップ構造を製造するためのプロセスソリューションで、高度な誘電ギャップヒル技術「ICEFill」を搭載。これにより微細化が進む3D NANDほかDRAM、ロジックデバイスの複雑な製造においても高い生産性を実現する。
ギャップヒルは、... (つづく)
