韓国サムスン電子は7日、回路線幅3ナノメートル（ナノは10億分の1）のロジックデバイスの量産を22年上半期に始めると発表した。

　半導体の小型化、高性能化、低消費電力を実現する微細化技術では、同社とファウンドリー（半導体受託生産）世界最大手の台湾TSMCがしのぎを削る。現在、商用ベースで最先端は5ナノメートル。製造能力ではTSMCがリードする。

　TSMCは21年中に3ナノメートルの試験生産に着手し、22年7月に量産開始の見通しで、世界初の3ナノメートル量産をかけ両社の競争が激化しそうだ。サムスンは切り札として、GAA（ゲート・オール・アラウンド）という新しいトランジスタ構造を採用する。（詳細は8日付け電波新聞に掲載）