2022.04.21 フロスフィアの次世代パワー半導体材料コランダム型酸化ガリウム　

年内に量産開始を予定するコランダム型酸化ガリウムを用いたSBD

絶縁破壊強度SiCの約4倍　放熱性の弱点も解決

　FLOSFIA（フロスフィア、京都市西京区）は、次世代パワー半導体の新材料で注目を集めている。

　半導体は電気を運ぶ電子が存在しない領域「バンドギャップ」が大きいほど、一般に耐圧性（電圧に耐えられる強さ）は高くなる。

　同社が手掛けるのはサファイアの結晶構造を...　　(つづく)