信越化学工業は、窒化ガリウム（GaN）関連基板およびエピタキシャル膜製品の事業化に向け、量産体制を拡充する。

　同社は2019年に米Qromis社と高品質で反りが小さいGaN成膜が可能な基板材料（QST基板）のライセンス契約を締結した。QST基板はCMOSプロセスに最適で、その特長から1800V以上の耐圧が求められるパワーデバイス、5Gおよび5G以降の世界向けのRFデバイスやマイクロLEDディスプレーなどへの適用が可能。

　同社はQST基板に独自の改良を加え、6インチ、8インチのGaNエピタキシャル成長用基板の供給体制を整えた。Qromisとの連携によりさらなる高品質化を図るとともに、生産体制倍増への投資を進める。

　さらに、子会社の信越半導体がサンケン電気からGaNエピタキシャル成長の技術供与を受けることになった。同契約により、信越半導体は国内外にパワーデバイスや高周波デバイス、発光デバイス用などのGaNエピタキシャル基板製品の製造・販売が可能になった。

　ディスプレー関連では、同社は台湾の工業技術研究院（ITRI）とミニLEDディスプレー向け封止材を共同開発した。信越化学が開発した封止材の特長は①LED照明向けの封止材と同等の高透明性、耐光性②大面積の成型性③異種基材との高接着性、応力緩和。

　ITRIは、ピクセルピッチ0.25ミリメートルおよび0.75ミリメートルのミニLEDディスプレーを新たに開発。同封止材を透明ディスプレーやフレキシブルディスプレーなどのLEDディスプレーに用いたサンプル評価を実施した結果、幅広いディスプレーへの適応が実証された。

　信越化学はさらに、マイクロLEDディスプレー製造用の新規プロセス技術を開発した。同プロセス技術はデクセリアルズと共同開発したもので、「φ80マイクロメートル以下に個片化した異方性導電膜（ACF）をレーザーで狙った場所に転写する画期的な技術」を導入。同技術により、指定された電極にだけに個片化したACFを飛ばし、LEDチップを搭載可能となるため、マイクロLEDディスプレー製造時のリペアープロセスが容易となる。

　また、グループ会社と共同で移送部品や移送装置を拡充。これらの移送部品との組み合わせにより、顧客に最適なプロセスを提供できる。