2023.03.15 キヤノンが高解像・広画角で一括露光、XRデバイス製造に適用可能
キヤノンの半導体露光装置「FPA-5550iX」
キヤノンは13日、前工程向け半導体露光装置の新製品「FPA-5550iX」を発売した。光源にi線（波長365ナノメートル）を使い、0.5マイクロメートルの高解像力を持つ。
前工程で使用するi線の露光装置で主流な「26ミリ×33ミリメートル」の標準画角に対して、「50ミリ×50ミリメートル」と2倍近く広い画角を備える。
35ミリフルサイズCMOSセンサーを標準画角で露光するにはショットを分割する必要がある... (つづく)
