2024.08.07 半導体デバイスのショットキー障壁を予測 　TRCシミュレーションサービス開始

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開発の効率化とコスト削減

　東レリサーチセンター（TRC）はこのほど、半導体デバイス中の金属と半導体の接合界面における電位差（ショットキー障壁）を予測するシミュレーションサービスを開始した。同サービスはナノスケールでの微細化や複雑化が進む半導体デバイス上で直接測定することが困難になりつつあるショットキー障壁の高さ（SBH）を予測する。

...　　(つづく)