キヤノンは、メモリー・ロジック向けの半導体露光装置の新製品として、KrFスキャナー「FPA-6400ES6a」を12月上旬に発売する。先端半導体の量産に求められる高生産性に加え、新開発の振動抑制技術などにより、業界最高水準の重ね合わせ精度を実現した。

　生成AI（人工知能）の普及を背景に先端半導体の需要が拡大しており、半導体露光装置にはさらなる生産性の向上が求められている。高集積化への移行に伴い露光工程数の増加や多層化が進み、ウエハーの反りやゆがみが顕著になる中、露光装置は反りの大きなウエハーへの対応や各層の回路パターンを高精度に重ね合わせることも求められている。

　FPA-6400ES6aは、新開発の「超高加速度ステージ」により駆動時間を短縮し、1時間当たり400枚のウエハー露光が可能で、従来機種から大幅なスループット向上に対応した。高速駆動時でも安定した高精度な位置制御が可能な振動抑制技術に加え、装置内の気流のムラを低減し、レーザー光路上の温度を均一化する新開発の空調制御技術により、業界最高水準となる4.0nmの重ね合わせ精度を実現。半導体露光装置向けソリューション「Lithography Plus」と連携し、同社がこれまで培ってきた半導体製造に関するデータを活用して装置の状態を監視・分析することで、適切な品質管理を実施し、生産性向上に貢献する。

　独自の画像アライメントシステムには、新光源「Hi-ALS」を追加。材料や工程に合わせて適した波長を選択でき、多様化する半導体製造プロセスでも高精度な位置合わせが可能で、安定性向上を実現した。さまざまなプロセスで発生するウエハーの反りを露光前に計測でき、ステージ上での吸気流量を調整して吸着能力を向上することで露光時の反りを改善。700µmまでの大きな反りにも対応可能だ。

　ウエハーステージの減速時に発生する回生電力を必要なタイミングで再利用できる技術や超高加速度ステージを支える高効率な電源も開発。ウエハー1枚の露光に必要な消費電力量を削減し、環境にも配慮している。