平均年齢58.6歳。8人の半導体シニアエンジニアがパワー半導体のファブレスメーカー「Japan Power Device株式会社」を1月に設立した。日本のパワー半導体事業の裾野を広げるため、コモディティ化するIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を1stターゲットにして、9月にIH機器の民生機器向け600Vクラスのワーキングサンプルを出荷する。来夏までに量産に入る計画だ。

　日本とドイツのメーカーとともに長年市場をけん...　　(つづく)