2021.06.02 東芝が新構造IGBT開発電力損失を4割減、パワー半導体強化の一助に

　東芝は1日、電極を三つ持つ新構造のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラー・トランジスタ）を開発したと発表した。スイッチング時の電力損失を最大約4割低減。電力変換器を高効率化し、カーボンニュートラルの実現に貢献できるという。パワー半導体の強化を進める同社は、2～3年以内の製品化を目指している。

　開発したのは、電極を三つ持つ「トリプルゲート」のシリコンIGBT。

　この新構造では、ゲート電極のオン・オフを高精度に...　　(つづく)