2021.07.09 東京ブレイズ 半導体デバイス接合で新技術 銀ろう化で高温度耐性 1年後の商用化目標
東京ブレイズ（東京都世田谷区）は、高温で使用可能な接合部材を用いた半導体デバイスのダイボンディング技術の実用化に向け取り組んでいる。低温でスズや銀を反応させて「銀ろう化」を促すとともに、熱の緩和層を形成して耐熱性能の高い接合部を作る技術で、半導体熱研究所（京都市中京区）が特許を取得した。技術提携により、1年後の商用化を目指す。
EV（電気自動車）の開発・普及の進展に伴い、IGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）といった... (つづく)
