2022.02.24 高選択エッチング装置 米ラムリサーチが韓国サムスンに供給
PrevosとSelisを統合したツール(提供=ラムリサーチ)
3次元デバイスの開発 加速
半導体デバイスのさらなる高性能化、高効率化に向け、半導体メーカーはトランジスタを垂直に積層する技術の開発を進めている。
例えば韓国のサムスン電子は、従来のFinFETに代わるGAA(ゲートオールアラウンド)と呼ぶ新しいトランジスタ構造を適用し、2022年上半期に3ナノメートルロジックデバイスの生産... (つづく)
PrevosとSelisを統合したツール(提供=ラムリサーチ)
半導体デバイスのさらなる高性能化、高効率化に向け、半導体メーカーはトランジスタを垂直に積層する技術の開発を進めている。
例えば韓国のサムスン電子は、従来のFinFETに代わるGAA(ゲートオールアラウンド)と呼ぶ新しいトランジスタ構造を適用し、2022年上半期に3ナノメートルロジックデバイスの生産... (つづく)
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