2022.04.18 GaNエピタキシャル成長モジュール開発アルバックがスパッタリング法を応用

GaNエピタキシャル成長モジュールのスパッタチャンバー（放電）

　アルバックは、スパッタリング法によるGaN（窒化ガリウム）のエピタキシャル薄膜形成技術「RaSE（Radical assist Sputter Epitaxy＝レイズ）法」と、同技術を用いたスパッタリングモジュール「SEGul（シーガル）」を開発、販売を開始した。

　脱炭素社会に向けたさまざまな取り組みにより、電気自動車（EV）やIoT・高速大容量通信が急速に普及し、電力を効率的に利用する技術が必要なことから、電力制御用半導体...　　(つづく)