東芝デバイス&ストレージ（D&S）は、新しいSiC（炭化ケイ素）MOSFETを発表した。低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に削減しており、同社の第2世代SiC MOSFET製品と比べ、スイッチング損失を約20%削減できる。

　SiCは信頼性やコストが課題になっているが、今回、窒素を注入するなどの新しい手法を開発。省面積化も実現し、コストを抑えることもできる。

　8月下旬から、姫路半導体工場での量産を予定。主に太陽光発電用インバーターや産業用電源、サーバー向けを想定している。
（26日付の電波新聞・電波新聞デジタルで詳報予定です）