（図1）従来の垂直型SOT-MRAMの構造（左）と本研究の面内型SOT-MRAMの構造
東京工業大学工学院電気電子系のファム・ナム・ハイ准教授とグエン・フン・ユイ・カン博士研究員の研究チームは、トポロジカル絶縁体・強磁性半導体接合を用いて、巨大な一方向性スピンホール磁気抵抗効果を実証した。スピンホール効果が強いトポロジカル絶縁体と強磁性半導体を組み合わせたことで、従来の3桁高い1.1％の巨大な抵抗変化を達成した。
一方向性スピンホール磁気抵抗効果は非磁性体・磁性体の接合において、非磁性体のスピンホール効果によっ... (つづく)
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【2024年に新たに休刊となる日】
▷4月29日（月）昭和の日
▷5月3日（金）憲法記念日
▷5月6日（月）振替休日
▷7月15日（月）海の日
▷8月12日（月）振替休日
▷9月16日（月）敬老の日
▷9月23日（月）振替休日
▷10月14日（月）スポーツの日
▷11月4日（月）振替休日
