2020.01.17 【次世代半導体露光プロセス用材料動向】 素材や製造方法見直しなど進めブレークスルー推進 業界標準をめざす
半導体プロセス材料を手掛ける電子材料メーカーでは、次世代の半導体露光技術である、EUV（極端紫外線）リソグラフィに向けたプロセス材料の開発や、供給体制拡充の取り組みを活発化させている。
半導体露光装置の光源は、現在の主流であるKrF（フッ化クリプトン、波長248ナノメートル）から、ArF（フッ化アルゴン、波長193ナノメートル以下）への移行が進展している。
だが、半導体の処理速度の高速化、データの大容... (つづく)
