三菱電機は26日、米Coherent（コヒレント、ペンシルベニア州サクソンバーグ）社と、パワーエレクトロニクス市場向け8インチSiC（炭化ケイ素）基板の共同開発について、基本合意書を締結したと発表した。同社は熊本県菊池市でパワー半導体の新工場棟を建設すると発表しており、ここで生産するデバイスに、今回の共同開発の基板を使う予定。

　コヒレントはSiC材料を長年開発し、世界初の8インチ導電性基板を実証した実績などがある。三菱電機は今回の共同開発を通じ、市場の拡大に対応するため大口径化を図り、安定供給を目指す。
（29日付の電波新聞／電波新聞デジタルで詳報予定です）