2020.10.02 窒化アルミニウムスカンジウム東京工大が強誘電体薄膜化に成功

　東京工業大学は、強誘電体の中で最も高い強誘電性を持つことが報告されている窒化アルミニウムスカンジウム［（Al、Sc）N］について、スカンジウム（Sc）を低濃度にすることで、従来よりも高い強誘電性を発現する膜の作製に成功。さらに、10ナノメートル以下の（Al、Sc）N薄膜でも強誘電性があることを世界で初めて確認した。

　酸化ハフニウムなど従来の強誘電体では、複雑な形状を持つ基材上への3次元の膜作製が必要。今回の成果により、単純な...　　(つづく)