2021.06.04 東京大学と富士通低い動作電圧など強誘電体メモリ開発
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻の大学院生・田原建人氏、トープラサートポン・カシディット講師、竹中充教授、高木信一教授は、JST戦略的創造研究推進事業の下、富士通セミコンダクターメモリソリューションとの共同研究で、極めて低い動作電圧かつ長寿命の強誘電体メモリーの開発に成功した。
1V以下の極めて低い動作電圧で、100兆回の書き換え回数を達成した。酸化ハフニウム系強誘電体材料を4ナノメートル以下まで薄くした場合でも十分... (つづく)
