2021.09.09 STがGaNゲートドライバーGaN FETの高周波スイッチング実現

発表された製品

　STマイクロエレクトロニクスは、新しいハーフブリッジ・ゲートドライバーを発表した。エンハンスメント型GaN（窒化ガリウム）FETの高周波スイッチングを実現。高電流出力とハイサイド・ローサイド出力で厳密にマッチングされた45ナノ秒の伝播遅延を特徴とする。

　発売されたのは、「STDRIVEG600」。GaNパワー・デバイスに最大6Vのゲート・ソース間電圧を柔軟に印加でき、低いオン抵抗を実現する。また、20VまでのNチャンネル・シ...　　(つづく)