タムラ製作所からのカーブアウトベンチャーで、次世代パワー半導体材料・酸化ガリウムを使ったデバイス開発を進めるノベルクリスタルテクノロジー（埼玉県狭山市）と、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）は24日、ショットキーバリアダイオード（SBD）を開発した、と発表した。1200Vの高耐圧で、数アンペアの電流も流せるという、世界初のもの。パワーエレクトロニクスの低価格化や高性能化につながるSBDの製品化へ、大きく前進した。

　SBDやトランジスタなどの半導体パワーデバイスは、家電や自動車、産業用機器などに組み込まれ、電圧や電流を制御する。今回の開発で、太陽光発電や自動車の電動化などに貢献する製品の実現が近づいた形。今後、製造プロセスの確立と信頼性評価を進め、2023年の製品化を想定する。同社は近い将来の上場をめざしている。
（27日の電波新聞・電波新聞デジタルなどで詳報予定です。）